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MPSA55G中文资料

MPSA55G图片

MPSA55G外观图

  • 大小:89.4KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: RF TRANSISTOR, PNP, -60V, 50MHZ, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain Max (hfe):150 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大:625mW
  • 频率 - 转换:50MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装:TO-92-3
  • 包装:散装
  • 其它名称:MPSA55G-NDMPSA55GOS

MPSA55G供应商

更新时间:2023-01-17 06:59:42
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